--------------------------------分會介紹--------------------------------

　　“處處陽光處處電”人類這一美好的願景隨著矽材料技術、半導體工業裝備製造技術以及光伏電池關鍵製造工藝技術的不斷獲得突破而離我們的現實生活越來越近!近20年來，光伏科學家與光伏電池製造工藝技術人員的研究成果已經使太陽能光伏發電成本從最初的幾美元/KWh減少到低於25美分/KWh。而這一趨勢通過研發更新的工藝技術、開發更先進的配套裝備、更廉價的光伏電子材料以及新型高效太陽能電池結構，太陽能光伏(PV)發電成本將會進一步降低，到本世紀中葉將降至4美分/KWh，優於傳統的發電費用。

　　大麵積、薄片化、高效率以及高自動化集約生產將是光伏矽電池工業的發展趨勢。通過降低峰瓦電池的矽材料成本，通過提升光電轉換效率與延長其使用壽命來降低單位電池的發電成本，通過集約化生產節約人力資源降低單位電池製造成本，通過合理的機製建立優秀的技術團隊、避免人才的不合理流動、充分保證技術上的持續創新是未來光伏企業發展的核心競爭力所在!

　　1、太陽能電池產業化技術發展

　　晶體矽太陽能電池的發展可劃分為三個階段(如圖1所示)，每一階段效率的提升都是因為新技術的引入。

　　晶體矽太陽能電池產業化技術現狀

　　1954年貝爾實驗室Chapin等人開發出效率為6%的單晶矽太陽能電池到1960年為第一發展階段，導致效率提升的主要技術是矽材料的製備工藝日趨完善、矽材料的質量不斷提高使得電池效率穩步上升，這一期間電池效率在15%。1972年到1985年是第二個發展階段，背電場電池(BSF)[1]技術、“淺結”結構[2]、絨麵技術、密柵金屬化是這一階段的代表技術，電池效率提高到17%，電池成本大幅度下降。1985年後是電池發展的第三階段，光伏科學家探索了各種各樣的電池新技術、金屬化材料和結構來改進電池性能提高其光電轉換效率：表麵與體鈍化技術、Al/P吸雜技術、選擇性發射區技術、雙層減反射膜技術等。許多新結構新技術的電池在此階段相繼出現，如效率達24.4%鈍化發射極和背麵點接觸(PERL)[3]電池。目前相當多的技術、材料和設備正在逐漸突破實驗室的限製而應用到產業化生產當中來。目前已經有多家國內外公司對外宣稱到2008年年底其大規模產業化生產轉換效率單晶將達到18%，多晶將超過17%。

　　1.1表麵織構

　　減少入射光學損失是提高電池效率最直接方法。化學腐蝕工藝是最成熟的產業化生產技術，也是行業內最廣泛使用的技術，工藝門檻低、產量大;但絨麵質量不易控製、不良率高，且減反射效果有限(腐蝕後的反射率一般仍在11%以上)，並產生大量的化學廢液和酸堿氣體，非環境友好型生產方式。反應離子刻蝕技術(RIE)是最有發展前景的技術，它首先在矽片表麵形成一層MASK(掩膜)再顯影出表麵織構模型，然後再利用反應離子刻蝕方法製備表麵織構。用這種方法製備出的減反射絨麵非常完美，表麵反射率最低可降至0.4%，單多晶技術統一，生產工藝與設備都可移植於IC工業，如果生產成本能夠進一步降低可望取代化學腐蝕方法而大規模使用。京瓷產業化17.2%~17.7%的多晶矽電池就是采用等離子刻蝕工藝的一個成功典範。　1.2發射區擴散

　　PN結特性決定了太陽能電池的性能!傳統工藝對太陽能電池表麵均勻摻雜，且為了減少接觸電阻、提高電池帶負載能力表麵摻雜濃度較高。但研究發現表麵雜質濃度過高導致擴散區能帶收縮、晶格畸變、缺陷增加、“死層”明顯、電池短波響應差。PN結技術是國際一流電池製造企業與國內電池企業的主要技術差距。為了在提高電池的填充因子的同時避免表麵“死層”，選擇性擴散發射極電池技術是最有望獲得產業化生產的低成本革命性高效電池技術，其技術原理簡單且通過現有裝備已經在實驗室實現，但如何降低製造成本是該技術產業化過程中所麵臨的主要挑戰。目前國內某些大公司對外宣傳的超過17.6%以上的高效電池其技術核心均來源於此，相信隨著配套裝備與輔助材料的及時解決近二年內將會迅速普及與推廣。

　　在製造工藝上采用氮氣攜帶三氯氧磷管式高溫擴散是目前主流生產技術，其特點是產量大、工藝成熟操作簡單。隨著電池向大尺寸、超薄化方向發展以及低的表麵雜質濃度(表麵方塊電阻80～120Ω/口、均勻性±3%以內)，減壓擴散技術(LYDOP)優勢非常明顯，工藝中低的雜質源飽和蒸氣壓、提高了雜質的分子自由程，它對156尺寸的矽片每批次產量400片的情況下其擴散均勻性仍優於±3%，是高品質擴散的首選與環境友好型的生產方式。鏈式擴散設備不僅適應Inline自動化生產方式，而且處理矽片尺寸幾乎不受限製、碎片率大大降低而迅速受到重視，其工藝有噴塗磷酸水溶液擴散與絲網印刷磷漿料擴散二種。在鏈式擴散技術上，BTU、SCHMID以及中電集團第48所均已有長時間的研究及工業化應用，隻要能在擴散質量上獲得突破其一定會取代目前管式擴散成為主流生產裝備與技術。

　　1.3去邊技術

　　產業化的周邊PN結去除方式是等離子體幹法刻蝕，該方法技術成熟、產量大，但存在過刻、鑽刻及不均勻的現象，不僅影響電池的轉換效率，而且導致電池片蹦邊、色差與缺角等不良率上升。激光開槽隔離技術根據PN結深度而在矽片邊緣開一物理隔離槽，但與國外情況相反，據國內使用情況來看電池效率反而不及等離子體刻蝕技術，因此該方法有待進一步研究。目前行業出現的另外一種技術--化學腐蝕去邊與背麵腐蝕拋光技術集刻蝕與去PSG一體，背麵絨麵的拋光極大降低了入射光的透射損失、提高電池紅光響應。該方法工藝簡單、易於實現inline自動化生產，不存在“鑽刻”與刻蝕不均勻現象，工藝相對穩定，因此盡管配套設備昂貴但仍引起業內廣泛關注。

　　1.4表麵減反射膜生長技術

　　早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使矽片表麵非晶化、且對多晶效果不理想。

　　SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對矽的腐蝕抑製Ag的擴散速度從而使後續快燒工藝溫度範圍更寬易於調節，而且致密的SixNy膜層是有害雜質良好的阻擋層。同時生成的氫原子對矽片具有表麵鈍化與體鈍化的雙重作用，可以很好地修複矽中的位錯、表麵懸掛鍵，提高了矽片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產的主流技術。雙層SiN減反射膜，通過控製各膜層中矽的富集率實現了5.5%[4]的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優為10.4%。

　　晶體矽太陽能電池產業化技術現狀

　　在電池背麵生長一層10～30nmSiN膜以期最大限度對電池進行鈍化與缺陷的修複從而提高電池的效率是目前的一個熱點課題，由於該技術牽涉到與後麵的絲網印刷技術、電極漿料技術及燒結工藝的配合目前尚處於實驗研究階段，但它肯定是今後的一個發展趨勢。　匹配封裝材料對光譜的折射率定製減反射膜以獲得最佳的實際使用效果是光伏企業技術實力的體現!如何減少電磁波對電池表麵PN結輻射損傷以及損傷的有效修複是該工藝的核心技術，處理不好往往導致電池效率一致性較差。裝備方麵有連續式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。

　　1.5絲網印刷與金屬漿料技術

　　絲網印刷技術是低成本太陽能電池產業化生產的關鍵技術，其主要技術進步與電極漿料及網版製版技術緊密相聯。電極漿料技術進步是提升電池效率的捷徑，也是一些實驗室技術向產業化轉換的關鍵。根據電池表麵擴散薄層方塊電阻、擴散結深以及表麵減反射膜厚度與密度等開發相對應的漿料已經成為國際一流光伏企業領先同行的一個有力武器：如摻P的正銀漿料實現低成本的選擇性發射極技術;向漿料中添加添加劑實現80～100um細柵技術;配合超薄片的低翹曲背鋁漿料等等。

　　矽片厚度不斷減薄、電池麵積不斷增大，如何降低碎片率與電池片的翹曲度成為設備製造廠商與電池製造企業共同關注的焦點問題。設備方麵已經出現能適應120um厚度矽片的全自動印刷設備。

　　2、存在的問題

　　工藝方麵：盡管太陽能電池製造是一個短工藝生產流程，光伏技術與檢測手段也有了長足的發展，但太陽能電池工藝還不能處於完全受控的狀態。我們無法從電池的不合理電參數來準確判斷問題具體所在，對每一工序質量也還沒有完全行之有效的檢測方法與手段，在線檢測技術遠落後於工藝技術的發展!

　　設備方麵：目前國內外各製造廠商設備缺乏統一接口標準，導致上下道工序之間無法有效銜接，導致較大的時間與資源浪費!物化新工藝的裝備滯後於市場的發展!

　　原材料方麵：原材料市場特別是矽片質量良莠不齊，許多企業缺乏自律性，導致我國光伏產品質量不穩定，行業缺乏統一權威標準與準入製度。

　　3、發展展望

　　以矽片為載體的光伏電池製造技術，其理論極限效率為29%。近年來由於一係列新技術的突破，矽太陽能電池轉換效率產業化水平單晶16%～18%、多晶15%～17%，按目前的晶體矽電池效率路線圖與電池技術，提升效率的難度已經非常大。因此有人預言矽電池的市場生命周期，但產品市場生命力的決定因素是其性價比，就如半導體集成電路一樣近一個世紀了仍然離不開矽基，晶體矽太陽能電池作為光伏發電主要材料的現狀不會改變，市場主導地位將繼續延續!其特征將會是向著高效率、大尺寸、超薄化、長壽命方向發展。隨著我們對半導體材料與光伏技術研究的不斷深入，必將會不斷誕生一些突破性的技術來巔覆傳統、提升太陽能電池的效率、降低係統發電成本，實現光伏發電從補充能源向主流能源的躍進!隻是以前這些技術都由國外企業與機構產生。可以預見通過中國廣大“光伏人”的努力，今後這些革命性的技術突破將會在我們中國本土企業與科研機構中產生!